Полевой транзистор(FET) - 2SK901 FUJI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 125W
Uds,max 250V
Udg,max 250V
Uds,max ±20V
Id,max 20AA
Fr(ton/off) 110/180nS
Ciss 3000pF
Cod FET
Rds,Ohm 0.15
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

FUJI

Биполярные транзисторы FUJI

IGBT транзисторы FUJI

FET транзисторы FUJI

Основная функция High Speed Switching Power MOSFET
TO-3P Распиновка