Rating | Value/Unit |
---|---|
Технология | MOSFET |
Полярность | N-Channel |
Pd,max | 125W |
Uds,max | 250V |
Udg,max | 250V |
Uds,max | ±20V |
Id,max | 20AA |
Fr(ton/off) | 110/180nS |
Ciss | 3000pF |
Cod | FET |
Rds,Ohm | 0.15 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
FUJIБиполярные транзисторы FUJIIGBT транзисторы FUJIFET транзисторы FUJI |
Основная функция | High Speed Switching Power MOSFET |
TO-3P | Распиновка |
---|---|