Полевой транзистор(FET) - 2SK949-MR FUJI

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 40W
Uds,max 500V
Udg,max 500V
Uds,max ±20V
Id,max 6A
Fr(ton/off)
Ciss
Cod FET
Rds,Ohm 1.2
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

FUJI

Биполярные транзисторы FUJI

IGBT транзисторы FUJI

FET транзисторы FUJI

Основная функция High Speed Switching Power MOSFET
TO-220F15 Распиновка