Полевой транзистор(FET) - APT1001R1HN Advanced Power
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Технология | MOSFET |
| Полярность | N-Channel |
| Pd,max | 250W |
| Uds,max | 1000V |
| Udg,max | |
| Uds,max | 30V |
| Id,max | 9.5A |
| Fr(ton/off) | 32/48nS |
| Ciss | 2950pF |
| Cod | FET |
| Rds,Ohm | 1.1 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
Advanced PowerБиполярные транзисторы Advanced PowerIGBT транзисторы Advanced PowerFET транзисторы Advanced Power |
| Основная функция |
| TO258 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |