Полевой транзистор(FET) - APT1001R2HN Advanced Power

Rating Value/Unit
Технология MOSFET
Полярность N-Channel
Pd,max 250W
Uds,max 1000V
Udg,max
Uds,max 30V
Id,max 9A
Fr(ton/off) 32/48nS
Ciss 2450pF
Cod FET
Rds,Ohm 1.2
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

Advanced Power

Биполярные транзисторы Advanced Power

IGBT транзисторы Advanced Power

FET транзисторы Advanced Power

Основная функция
TO258 Распиновка