Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MSAGZ52F120A
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 300W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 3.2V |
| Ic,max | 52A |
| Fr(ton/off) | 95/420nS |
| Cc,pF | 2200pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
microsemiБиполярные транзисторы microsemiIGBT транзисторы microsemiFET транзисторы microsemi |
| Применение | High frequency IGBT |
| SMD-P | Распиновка |
|---|---|
 |
 |