Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - STGD3NB60S
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 40W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.5V |
| Ic,max | 3A |
| Fr(ton/off) | 170/540nS |
| Cc,pF | 255pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Применение | PowerMESH IGBT |
| TO-252 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |