Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGV12N120D
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 123W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.5V |
| Ic,max | 12A |
| Fr(ton/off) | 930pF |
| Cc,pF | 74/66nS |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
| Применение | IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE |
| TO-268AA | Распиновка |
|---|---|
 |
 |