Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S3N60C3DS9A

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 33W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 2V
Ic,max 6A
Fr(ton/off) 5/325nS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

intersil

Биполярные транзисторы intersil

IGBT транзисторы intersil

FET транзисторы intersil
Применение UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
TO-263AB Распиновка