Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S14N36G3VLS9A
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 100W |
| Uce,max | 360V |
| Ucg | 360V |
| Ueg | ±10V |
| Uce sat. | 1.45V |
| Ic,max | 14A |
| Fr(ton/off) | 7µS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | Logic Level, Voltage Clamping IGBT |
| TO-263AB | Распиновка |
|---|---|
 |
 |