Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S20N60C3RS9A
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 164W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.2V |
| Ic,max | 40A |
| Fr(ton/off) | 34/390nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | Rugged UFS Series N-Channel IGBT |
| TO262AB | Распиновка |
|---|---|
 |
 |