Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXSH30N60A

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 200W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 3V
Ic,max 50A
Fr(ton/off) 60/400nS
Cc,pF 2760pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

ixys

Биполярные транзисторы ixys

IGBT транзисторы ixys

FET транзисторы ixys

Применение LOW SATURATION VOLTAGE IGBT
TO247 Распиновка