Rating | Value/Unit |
---|---|
Полярность | P-Channel |
Pc,max | 300W |
Uce,max | 1200V |
Ucg | 1200V |
Ueg | ±20V |
Uce sat. | 3.2V |
Ic,max | 52A |
Fr(ton/off) | 95/420nS |
Cc,pF | 2200pF |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Производитель |
microsemiБиполярные транзисторы microsemiIGBT транзисторы microsemiFET транзисторы microsemi |
Применение | High frequency IGBT |
SMD-P | Распиновка |
---|---|