Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MSAHZ52F120B

Rating Value/Unit
Полярность P-Channel
Pc,max 300W
Uce,max 1200V
Ucg 1200V
Ueg ±20V
Uce sat. 3.2V
Ic,max 52A
Fr(ton/off) 95/420nS
Cc,pF 2200pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

microsemi

Биполярные транзисторы microsemi

IGBT транзисторы microsemi

FET транзисторы microsemi
Применение High frequency IGBT with anti-parallel FREDiode
SMD-P Распиновка