Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTD6N50E1S
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 60W |
| Uce,max | 500V |
| Ucg | 500V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.5V |
| Ic,max | 7.5A |
| Fr(ton/off) | 90/24nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | Fast Switching Speeds IGBT |
| TO252AA | Распиновка |
|---|---|
 |
 |