Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTD8P50G1S9A
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | P-Channel |
| Pc,max | 66W |
| Uce,max | 500V |
| Ucg | 500V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.5V |
| Ic,max | 3A |
| Fr(ton/off) | 45/450nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | Enhancement-mode IGBT |
| TO252AA | Распиновка |
|---|---|
 |
 |