Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTP10N50E1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 60W |
| Uce,max | 500V |
| Ucg | 500V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 4.5V |
| Ic,max | 10A |
| Fr(ton/off) | 50/400nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | Switching IGBT |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |