Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - APT33GF120LRD
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 300W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.7V |
| Ic,max | 33A |
| Fr(ton/off) | 30/155nS |
| Cc,pF | 2200pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
advanced powerБиполярные транзисторы advanced powerIGBT транзисторы advanced powerFET транзисторы advanced power |
| Применение | Fast IGBT & FRED Diode |
| T-MAX | Распиновка |
|---|---|
 |
 |