Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MSAHX60F60B

Rating Value/Unit
Полярность P-Channel
Pc,max 300W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.9V
Ic,max 60A
Fr(ton/off) 25/250nS
Cc,pF 2500pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

microsemi

Биполярные транзисторы microsemi

IGBT транзисторы microsemi

FET транзисторы microsemi
Применение Power IGBT with FRED diode
SMD-P Распиновка