Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTP10N50E1D

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 75W
Uce,max 500V
Ucg 500V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.5V
Ic,max 10A
Fr(ton/off) 50/400nS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

harris

Биполярные транзисторы harris

IGBT транзисторы harris

FET транзисторы harris
Применение IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
TO-220 Распиновка