Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S12N60C3DS9A
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 104W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.65V |
| Ic,max | 24A |
| Fr(ton/off) | 28/270nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | UFS Series N-Channel IGBT |
| TO-263AB | Распиновка |
|---|---|
 |
 |