Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - G12N60D1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 75W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.9V |
| Ic,max | 21A |
| Fr(ton/off) | 100/430nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE IGBT |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |