Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - G20N120E2

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 150W
Uce,max 1200V
Ucg 1200V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.9V
Ic,max 34A
Fr(ton/off) 100/520nS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

harris

Биполярные транзисторы harris

IGBT транзисторы harris

FET транзисторы harris
Применение Power IGBT
TO-247 Распиновка