Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTG34N100E2
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 208W |
| Uce,max | 1000V |
| Ucg | 1000V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.8V |
| Ic,max | 55A |
| Fr(ton/off) | 100/610nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
harrisБиполярные транзисторы harrisIGBT транзисторы harrisFET транзисторы harris |
| Применение | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE IGBT |
| TO-247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |