Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXGH20N30S
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 200V |
| Uce,max | 300V |
| Ucg | 300V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.45V |
| Ic,max | 40A |
| Fr(ton/off) | 15/100nS |
| Cc,pF | 1500pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | HiPerFAST IGBT |
| TO-247SMD | Распиновка |
|---|---|
 |
 |