Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GA200TD120U
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 1040W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | 2.80V |
| Ic,max | 200A |
| Fr(ton/off) | 10-30KHz |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
irfБиполярные транзисторы irfIGBT транзисторы irfFET транзисторы irf |
| Применение | IGBT MODULE |
| INT-A-PAK | Распиновка |
|---|---|
 |
 |