Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GT10Q311

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 90W
Uce,max 1200V
Ucg
Ueg
Uce sat. 2.8V
Ic,max 10A
Fr(ton/off) 0.32µS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

toshiba

Биполярные транзисторы toshiba

IGBT транзисторы toshiba

FET транзисторы toshiba

Применение Third-Generation IGBT
DPAK Распиновка