Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GT15Q101

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 150W
Uce,max 1200V
Ucg
Ueg
Uce sat. 4V
Ic,max 15A
Fr(ton/off) 0.50µS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

toshiba

Биполярные транзисторы toshiba

IGBT транзисторы toshiba

FET транзисторы toshiba

Применение Second-Generation IGBT
TOP3 Распиновка