Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GT50S101
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | |
| Uce,max | 1400V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | 7.2V |
| Ic,max | 50A |
| Fr(ton/off) | 0.38µS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Применение | Drive Series IGBT |
| TO264 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |