Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - 1MBH03D-120
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 80W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 3.5V |
| Ic,max | 5.5A |
| Fr(ton/off) | 1.2/1.5µS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
fujiБиполярные транзисторы fujiIGBT транзисторы fujiFET транзисторы fuji |
| Применение | Molded Package IGBT |
| TO-3PL | Распиновка |
|---|---|
 |
 |