Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - GT8Q101
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 100W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | 4V |
| Ic,max | 8A |
| Fr(ton/off) | 0.50µS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
toshibaБиполярные транзисторы toshibaIGBT транзисторы toshibaFET транзисторы toshiba |
| Применение | Second-Generation IGBT |
| TOP3 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |