Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S1N120BNDS

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max
Uce,max 1200V
Ucg
Ueg
Uce sat.
Ic,max 5.3A
Fr(ton/off)
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

intersil

Биполярные транзисторы intersil

IGBT транзисторы intersil

FET транзисторы intersil

Применение NPT Series N-Channel IGBT
N/A Распиновка