Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S20N35G3VL
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 150W |
| Uce,max | 375V |
| Ucg | 350V |
| Ueg | ±10V |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 20A |
| Fr(ton/off) | 30 µS |
| Cc,pF | - |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | Logic Level, Voltage Clamping IGBT |
| TO-262AA | Распиновка |
|---|---|
 |
 |