Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGT1S2N120BNS
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 12A |
| Fr(ton/off) | |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | NPT Series N-Channel IGBT |
| TO262AB | Распиновка |
|---|---|
 |
 |