Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTG27N60C3DR
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 208W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.8V |
| Ic,max | 54A |
| Fr(ton/off) | 38/250nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
intersilБиполярные транзисторы intersilIGBT транзисторы intersilFET транзисторы intersil |
| Применение | Rugged UFS Series N-Channel IGBT |
| TO-247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |