Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - HGTH12N40C1

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 75W
Uce,max 400V
Ucg 400V
Ueg ±20V
Uce sat. 4.5V
Ic,max 12A
Fr(ton/off) 50/400nS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

harris

Биполярные транзисторы harris

IGBT транзисторы harris

FET транзисторы harris

Применение Switching IGBT
TO218 Распиновка