Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - 2PG352

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 150W
Uce,max 400V
Ucg
Ueg
Uce sat. 16V
Ic,max 5A
Fr(ton/off) 35/550nS
Cc,pF 1370pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

matsushita

Биполярные транзисторы matsushita

IGBT транзисторы matsushita

FET транзисторы matsushita
Применение Flash-ligt IGBT
IPAK Распиновка