Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - 1MB08-120

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 115W
Uce,max 1200V
Ucg
Ueg ±20V
Uce sat. 3.5V
Ic,max 13A
Fr(ton/off) 1.2/1.5µS
Cc,pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

fuji

Биполярные транзисторы fuji

IGBT транзисторы fuji

FET транзисторы fuji

Применение Molded Package IGBT
TO-3P Распиновка