Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IRG4ZH50KD
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 210W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | 3.50V |
| Ic,max | 29A |
| Fr(ton/off) | 10-100KHz |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
irfБиполярные транзисторы irfIGBT транзисторы irfFET транзисторы irf |
| Применение |
| SMD-10 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |