Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXGK120N60B
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 560W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±30V |
| Uce sat. | |
| Ic,max | 76A |
| Fr(ton/off) | 160nS |
| Cc,pF | 11000pF |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | HIGH SPEED TYPES |
| TO264 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |