Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXGK60N60
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 300W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 1.6V |
| Ic,max | 75A |
| Fr(ton/off) | 50/400nS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | LOW SATURATION VOLTAGE IGBT |
| TO-264 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |