Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXGT15N120BD1

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max
Uce,max 1200V
Ucg
Ueg
Uce sat.
Ic,max 30A
Fr(ton/off) 160nS
Cc,pF
Tj,max 175ºC
Аналоги
Производитель

ixys

Биполярные транзисторы ixys

IGBT транзисторы ixys

FET транзисторы ixys

Применение IGBT with FRED diode
TO268 Распиновка