Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXSH10N120AU1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 100W |
| Uce,max | 1200V |
| Ucg | 1200V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 4V |
| Ic,max | 20A |
| Fr(ton/off) | 100/250nS |
| Cc,pF | 800pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | IGBT/DIODE COMBI-PACK |
| TO247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |