Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXSH20N60AU1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 150W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 3V |
| Ic,max | 40A |
| Fr(ton/off) | 100/450nS |
| Cc,pF | 1800pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | IGBT/DIODE COMBI-PACK |
| TO247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |