Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXSH30N60CD1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 200W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2.5V |
| Ic,max | 55A |
| Fr(ton/off) | 30/90nS |
| Cc,pF | 3100pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | High Speed IGBT with Diode |
| TO247 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |