Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXSN80N60AU1
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 500W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 3V |
| Ic,max | 160A |
| Fr(ton/off) | 140/300nS |
| Cc,pF | 8500pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
ixysБиполярные транзисторы ixysIGBT транзисторы ixysFET транзисторы ixys |
| Применение | IGBT with Diode |
| ISOTOP | Распиновка |
|---|---|
 |
 |