Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - IXST30N60CD1

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 250W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.5V
Ic,max 55A
Fr(ton/off) 30/90nS
Cc,pF 3100pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

ixys

Биполярные транзисторы ixys

IGBT транзисторы ixys

FET транзисторы ixys

Применение High Speed IGBT with Diod
TO268 Распиновка