Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGP11N60E
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 96W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | 600V |
| Ueg | ±20V |
| Uce sat. | 2V |
| Ic,max | 11A |
| Fr(ton/off) | 46/102nS |
| Cc,pF | 779pF |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Применение | TMOS IGBT |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |