Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGP4N60E

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 62.5W
Uce,max 600V
Ucg 600V
Ueg ±20V
Uce sat. 2V
Ic,max 4A
Fr(ton/off) 34/36nS
Cc,pF 342pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

on semi

Биполярные транзисторы on semi

IGBT транзисторы on semi

FET транзисторы on semi
Применение IGBT Transistor
TO-220 Распиновка