Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGP4N60ED
| Rating | Value/Unit |
|---|---|
| Полярность | N-Channel |
| Pc,max | 62.5W |
| Uce,max | 600V |
| Ucg | |
| Ueg | |
| Uce sat. | 2V |
| Ic,max | 4A |
| Fr(ton/off) | 10µS |
| Cc,pF | |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Производитель |
on semiБиполярные транзисторы on semiIGBT транзисторы on semiFET транзисторы on semi |
| Применение | IGBT Transistor |
| TO-220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |