Биполярный транзистор с изолированным затвором(IGBT) - MGW12N120

Rating Value/Unit
Полярность N-Channel
Pc,max 123W
Uce,max 1200V
Ucg 1200V
Ueg ±20V
Uce sat. 2.51V
Ic,max 12A
Fr(ton/off) 74/66nS
Cc,pF 930pF
Tj,max 150ºC
Аналоги
Производитель

on semi

Биполярные транзисторы on semi

IGBT транзисторы on semi

FET транзисторы on semi
Применение IGBT Transistor
TO-247 Распиновка